做為半導體平坦化的核心技術(shù),CMP始終備受關(guān)注。CMP指化學(xué)機械拋光,是化學(xué)腐蝕與機械磨削相結合的一種拋光方式 ,是現階段唯一可以實(shí)現晶片全局平坦化的實(shí)用技術(shù)和核心技術(shù)。那么如此關(guān)鍵的半導體CMP工藝有哪些?
化學(xué)機械拋光(chemicalmechanicalpolishing,CMP)是集成電路生產(chǎn)制造過(guò)程中實(shí)現晶圓表面平坦化的核心技術(shù)。
GMP工藝融合了機械拋光和化學(xué)拋光,相比于其他平坦化工藝來(lái)講擁有 很大的優(yōu)越性,它不僅可以對硅片表面進(jìn)行局部處理,另外也可以對整個(gè)硅片表面進(jìn)行平坦化處理,是現階段唯能兼顧表面全局和局部平坦化的工藝。
與傳統型的純機械或純化學(xué)的拋光方式 不一樣,CMP工藝是根據表面化學(xué)作用和機械研磨的工藝融合來(lái)實(shí)現晶元表面微米/納米級不一樣材料的清除,進(jìn)而實(shí)現晶圓表面的高度(納米級)平坦化效應,使接下來(lái)的光刻工藝得以進(jìn)行。
淺槽隔離(STI)拋光
它是比較早被選用的CMP工藝,也是CMP在芯片制造中最基礎的應用。直到現在,選用氧化鈰研磨液的拋光工藝依然是STICMP的主要方式 。
伴隨著(zhù)CMP研磨液的發(fā)展,一種高選擇比(大于30)的研磨液選用氧化鈰(CeO2)做為研磨顆粒。如此一來(lái),以氮化硅(Si3N4)為拋光中止層的直接拋光(DirectSTICMP)變成現實(shí)。
納米集成電路芯片制程中,STICMP工藝需要磨掉氮化硅(Si3N4)層上的氧化硅(SiO2),另外又盡量地降低溝槽中氧化硅的凹陷。進(jìn)入45nm及以下節點(diǎn)后,為了填充越來(lái)越窄小的溝槽,LPCVD被選用,其生成的氧化硅薄膜具有更厚的覆蓋層,這顯然增加了CMP的研磨量。
銅CMP工藝
銅CMP工藝生成于二十一世紀初130nm節點(diǎn)及其之后,始終延用到納米集成電路28~22nm節點(diǎn)。當前的銅CMP工藝通常分為三步:
高k金屬柵的拋光
在32nm及以下節點(diǎn)工藝中,高k金屬柵的“柵后方式 ”是生成高k金屬柵的主要方式 之一,這其中CMP擔任著(zhù)頗具挑戰角色?!皷藕蠓绞?”工藝流程中的CMP,初次是ILDCMP,用于研磨開(kāi)多晶門(mén);再次是AlCMP,用于拋光鋁金屬。多晶門(mén)的制程涉及材料種類(lèi)較多,另外要研磨氧化硅、氮化硅及多晶硅。
具體來(lái)講: