實(shí)驗設置了H2O、RPMI1640、DMEM(pH=7)3種溶液體系,比對不同的溶液對EGCG氧化聚合的影響。如圖1所示,在相同EGCG濃度下,RPMI1640、DMEM兩種培養基的OD578值極顯著(zhù)高于H2O(P<0.001);對比兩種培養基,DMEM的OD578值高于RPMI1640,即三種溶液體系促進(jìn)EGCG氧化聚合率的排序為:DMEM>RPMI1640>H2O。
實(shí)驗設置了37和74℃研究溫度對EGCG氧化聚合率的影響。如圖2所示,在以RPMI1640為溶液體系下,除最高EGCG濃度320μmol/L外,各濃度組74℃的氧化聚合率均顯著(zhù)高于37℃(P<0.05),即高溫促進(jìn)EGCG的氧化聚合。
小同濃度的EGCG(0、20、40、80、320μmol/L)分別以H20、RPMI1640、DMEM(pH=7)三種溶液體系,反應3、6、12、24h。結果顯示,以H20為溶液的各EGCG濃度組問(wèn)無(wú)顯著(zhù)差異(圖3i,i,k,1);以RPMI1640和DMEM為溶液體系的3h組,各濃度間也無(wú)顯著(zhù)差異(圖3a,e),其余各組均隨著(zhù)EGCG濃度的升高,OD578顯著(zhù)上升(P<0.05)(圖3b,c,d,f,g,h),即高濃度促進(jìn)EGCG的氧化聚合。
實(shí)驗設置了4個(gè)反應時(shí)問(wèn),探討時(shí)問(wèn)對EGCG氧化聚合的影響。通過(guò)EGCG濃度及溶液環(huán)境對其自動(dòng)氧化影響的結果顯示,培養液及高濃度的EGCG促進(jìn)其氧化聚合,因此,對比了320μmol/L的EGCG在RPMI1640培養基中各時(shí)問(wèn)點(diǎn)OD578的變化。如圖4顯示,12和24h的OD。極顯著(zhù)高于3h(P<0.001),即在高濃度下,隨著(zhù)作用時(shí)問(wèn)延長(cháng),EGCG氧化聚合率顯著(zhù)增加。
實(shí)驗設置了pH=5和9探討pH對EGCG氧化聚合的影響,選用RPMI1640和H20兩種溶液條件,37℃時(shí)分別比較了不同pH條件下的OD值變化。如圖5a所示,以RPMll640作為溶液環(huán)境,各濃度下兩種pH的OD578均有極顯著(zhù)差異(P<0.001),pH=5時(shí)各濃度組OD。變化不顯著(zhù)(P>0.05);pH=9時(shí)OD578隨著(zhù)EGCG濃度的升高顯著(zhù)增大(P<0.05)。當以H20作為溶液環(huán)境,pH=5各濃度OD578值均極顯著(zhù)低于pH=9的OD578值(P<0.001),如圖5b,綜合各組結果,堿性環(huán)境較酸性環(huán)境促進(jìn)EGCG的氧化聚合。
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